太陽光発電の測定ノウハウ・ポイントを図解

改正FIT法が求める 太陽光発電の測定ノウハウ

改正FIT法が求める内容

維持・管理の為の定期点検の流れ

維持・管理の為の計測器

太陽光発電を図解で学ぶ

太陽光発電工事は、I-V特性を測定して完了!!

汎用テスタの電圧測定だけでは、測定できません。正確には負荷試験で、電流-電圧特性することです。

  • 汎用テスタで測定出来るのは、開放電圧だけです。
    「薄幕」モジュールの抜けと発電電圧は測れません。
    「単結晶・多結晶」モジュールの接続間違いは発見できますが、発電能力は測れません。
  • 設置した太陽光発電の発電能力を測定するには、負荷試験が必要です。
    IVH-2000Z I-Vカーブトレーサで簡単に出来ます。

太陽電池は、種類によって影の影響が異なります。

太陽電池は影や異物の影響により、発電量が変化します。このような変化は汎用テスタでは測定する事ができず、

不具合を見落とす原因にもなります。

正確にI-Vカーブを測定し、最大発電量を算出する事で、故障や劣化を未然に防ぐ事が可能です。

結晶シリコン系モジュール

結晶シリコン系モジュール

・モジュールの中に、発電しないセルがあると、回路全体が働かない。

結晶シリコン系モジュールのグラフ

・結晶シリコン系モジュールの場合、一般的にI-Vカーブが崩れ、発電量に大きな差が出てきます。

薄膜系モジュール

薄膜系モジュール

・影により、出力は一時低下するが、回路全体への影響は少ない。

薄膜系モジュールのグラフ

・薄膜系モジュールの場合、一般的にI-Vカーブに崩れはなく、短絡電流・発電量に大きな差が出てきます。


IVH-2000Zで測定したI-V特性

【単結晶・多結晶】は、I-V特性の「r形」とPmの「数値」でチェックしましょう。 IVH-2000Zで測定

影が入るとI-Vカーブは予測できない形状になります。

影の状況により、形は様々ですが、共通して言える事はI-Vカーブは崩れると言う事です。

太陽光発電 測定ノウハウ資料
iv_theory.pdf
PDFファイル 333.0 KB
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